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ALD212902SAL

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Référence ALD212902SAL
Fabricant Advanced Linear Devices, Inc.
La description MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 30000 pcs
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Référence ALD212902SAL Fabricant Advanced Linear Devices, Inc.
La description MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 30000 pcs Fiche technique ALD212902
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA
Package composant fournisseur 8-SOIC Séries EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (Max) @ Id, Vgs - Puissance - Max 500mW
Emballage Tube Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - type de FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonction FET Logic Level Gate Tension drain-source (Vdss) 10.6V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80mA

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