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AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN
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Référence AS4C64M8D1-5TIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
La description IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 30579 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs25 pcs50 pcs
$1.56$1.416$1.386$1.378
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Référence AS4C64M8D1-5TIN Fabricant Alliance Memory, Inc.
La description IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 30579 pcs Fiche technique AS4C64M8D1
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Tension - Alimentation 2.3 V ~ 2.7 V La technologie SDRAM - DDR
Package composant fournisseur 66-TSOP II Séries -
Emballage Bulk Package / Boîte 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Autres noms 1450-1329
AS4C64M8D1-5TIN-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire DRAM
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II Fréquence d'horloge 200MHz
Temps d'accès 700ps

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