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AS4C8M16S-6BIN

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Référence AS4C8M16S-6BIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
La description IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4247 pcs
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Référence AS4C8M16S-6BIN Fabricant Alliance Memory, Inc.
La description IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4247 pcs Fiche technique AS4C8M16S
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 2ns
Tension - Alimentation 3 V ~ 3.6 V La technologie SDRAM
Package composant fournisseur 54-TFBGA (8x8) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 54-TFBGA
Autres noms 1450-1079 Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 128Mb (8M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
Fréquence d'horloge 166MHz Temps d'accès 5ns

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