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AS6C4016-55BIN

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Référence AS6C4016-55BIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
La description IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 31730 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
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Référence AS6C4016-55BIN Fabricant Alliance Memory, Inc.
La description IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 31730 pcs Fiche technique AS6C4016
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 55ns
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 5.5 V La technologie SRAM - Asynchronous
Package composant fournisseur 48-TFBGA (6x8) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 48-LFBGA
Autres noms 1450-1179
AS6C4016-55BIN-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 4Mb (256K x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8) Temps d'accès 55ns

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