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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N2219

2N2219

2N2219
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Référence 2N2219
Fabricant Central Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 92772 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
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250 pcs500 pcs1000 pcs2500 pcs
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Référence 2N2219 Fabricant Central Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 0.8A TO-39 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 92772 pcs Fiche technique 2N2219(A)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-39 Séries -
Puissance - Max 800mW Emballage Bulk
Package / Boîte TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Autres noms 2N2219 LEAD FREE
2N2219 PBFREE
2N2219CS
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 800mA 250MHz 800mW Through Hole TO-39 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 800mA

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