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BC108B

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Référence BC108B
Fabricant Central Semiconductor
La description THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 69874 pcs
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Référence BC108B Fabricant Central Semiconductor
La description THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 69874 pcs Fiche technique BC107(A,B),BC108(B,C),BC109(B,C)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-18 Séries -
Puissance - Max 600mW Emballage Bulk
Package / Boîte TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Autres noms BC108B PBFREE
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ) Type de montage Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 150MHz Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 200mA 150MHz 600mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA

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