BDW83C
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| Référence | BDW83C |
|---|---|
| Fabricant | Central Semiconductor |
| La description | POWER TRANSISTOR NPN TO218 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | BDW83C | Fabricant | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | POWER TRANSISTOR NPN TO218 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4646 pcs | Fiche technique | Power Transistors TO-218 Case General Purpose |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-218 | Séries | - |
| Puissance - Max | 130W | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-218-3 | Autres noms | BDW83CCS |
| Température de fonctionnement | - | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 15A 130W Through Hole TO-218 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 15A |
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