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BDW83C

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Référence BDW83C
Fabricant Central Semiconductor
La description POWER TRANSISTOR NPN TO218
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4646 pcs
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Référence BDW83C Fabricant Central Semiconductor
La description POWER TRANSISTOR NPN TO218 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4646 pcs Fiche technique Power Transistors TO-218 Case General Purpose
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-218 Séries -
Puissance - Max 130W Emballage Bulk
Package / Boîte TO-218-3 Autres noms BDW83CCS
Température de fonctionnement - Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 15A 130W Through Hole TO-218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 6A, 3V Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 15A

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