ACGRAT101L-HF
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| Référence | ACGRAT101L-HF |
|---|---|
| Fabricant | Comchip Technology |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A 2010 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.036 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ACGRAT101L-HF | Fabricant | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A 2010 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 677876 pcs | Fiche technique | ACGRAT101L-HF thru 105L-HF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A | Tension - Ventilation | 2010 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101 | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Polarisation | 2-SMD, No Lead | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | ACGRAT101L-HF |
| Description élargie | Diode Standard 200V 1A Surface Mount 2010 | Configuration diode | 5µA @ 200V |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A 2010 | Courant - fuite, inverse à Vr | 1V @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200V | Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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