CDBDSC5650-G
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| Référence | CDBDSC5650-G |
|---|---|
| Fabricant | Comchip Technology |
| La description | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 80 pcs | 160 pcs | 320 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.824 | $0.743 | $0.663 | $0.597 | $0.531 | |
| 560 pcs | 1040 pcs | 2560 pcs | 5040 pcs | ||
| $0.464 | $0.385 | $0.358 | $0.354 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | CDBDSC5650-G | Fabricant | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 56714 pcs | Fiche technique | CDBDSC5650-G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.7V @ 5A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 650V | Package composant fournisseur | D-PAK (TO-252) |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | 641-1931 | Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky | Description détaillée | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 21.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 100µA @ 650V | Courant - Rectifié moyenne (Io) | 21.5A (DC) |
| Capacité à Vr, F | 424pF @ 0V, 1MHz |
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