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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S29GL256N11TFA013

S29GL256N11TFA013

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Référence S29GL256N11TFA013
Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 256M PARALLEL
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 15219 pcs
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Référence S29GL256N11TFA013 Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 256M PARALLEL État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 15219 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 110ns
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V La technologie FLASH - NOR
Séries Automotive, AEC-Q100, GL-N Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 110ns Temps d'accès 110ns

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