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1N4007GL-T

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Référence 1N4007GL-T
Fabricant Diodes Incorporated
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5209 pcs
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Référence 1N4007GL-T Fabricant Diodes Incorporated
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5209 pcs Fiche technique 1N4001-4007G,L Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur DO-41
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 2µs Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-204AL, DO-41, Axial Autres noms IN4007GL-T
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 1000V Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Numéro de pièce de base 1N4007

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