BS170PSTOA
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| Référence | BS170PSTOA |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | BS170PSTOA | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4740 pcs | Fiche technique | BS170P |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | E-Line (TO-92 compatible) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 625mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | E-Line-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | N-Channel 60V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 270mA (Ta) |
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