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DMC3025LSDQ-13

DMC3025LSDQ-13
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Référence DMC3025LSDQ-13
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFETN/P-CH30VSO-8
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 215900 pcs
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Référence DMC3025LSDQ-13 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFETN/P-CH30VSO-8 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 215900 pcs Fiche technique DMC3025LSDQ
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO Séries Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V Puissance - Max 1.2W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms DMC3025LSDQ-13DITR Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 28 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 501pF, 590pF @ 15V, 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC, 5.1nC @ 4.5V
type de FET N and P-Channel Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)

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