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DMG3N60SCT

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Référence DMG3N60SCT
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 62972 pcs
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Référence DMG3N60SCT Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 62972 pcs Fiche technique DMG3N60SCT
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 354pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc)

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