DMHC3025LSDQ-13
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| Référence | DMHC3025LSDQ-13 |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.147 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DMHC3025LSDQ-13 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 147006 pcs | Fiche technique | DMHC3025LSDQ-13~ |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V | Puissance - Max | 1.5W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | DMHC3025LSDQ-13DITR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V | type de FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Fonction FET | Standard | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A, 4.2A |
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