DMJ70H600SH3
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| Référence | DMJ70H600SH3 |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 75 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.602 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DMJ70H600SH3 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 55363 pcs | Fiche technique | DMJ70H600SH3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-251 | Séries | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 113W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3, IPak, Short Leads |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 643pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 700V |
| Description détaillée | N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
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