DMN2011UFDF-7
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| Référence | DMN2011UFDF-7 |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.063 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DMN2011UFDF-7 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 349860 pcs | Fiche technique | DMN2011UFDF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | U-DFN2020-6 (Type F) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 6-UDFN Exposed Pad |
| Autres noms | DMN2011UFDF-7-ND DMN2011UFDF-7DITR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2248pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 14.2A (Ta) |
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