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DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13
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Référence DMN3033LSDQ-13
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 205314 pcs
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Référence DMN3033LSDQ-13 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 205314 pcs Fiche technique DMN3033LSDQ
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.9A, 10V Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms DMN3033LSDQ-13DI Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2W Surface Mount 8-SO Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.9A

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