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DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7
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Référence DMN65D8LFB-7
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1009093 pcs
Référence Prix
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Référence DMN65D8LFB-7 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1009093 pcs Fiche technique DMN65D8LFB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur X1-DFN1006-3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V Dissipation de puissance (max) 430mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 3-UFDFN
Autres noms DMN65D8LFB-7-ND
DMN65D8LFB-7DITR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 20 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 260mA (Ta)

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