DMN80H2D0SCTI
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| Référence | DMN80H2D0SCTI |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.519 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DMN80H2D0SCTI | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 73834 pcs | Fiche technique | DMN80H2D0SCTI |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | ITO-220AB | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 41W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1253pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35.4nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 7A (Tc) 41W (Tc) Through Hole ITO-220AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
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