DMP21D6UFD-7
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| Référence | DMP21D6UFD-7 |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFETP-CHAN 20V X1-DFN1212-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.028 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DMP21D6UFD-7 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFETP-CHAN 20V X1-DFN1212-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 903352 pcs | Fiche technique | DMP21D6UFD |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | X1-DFN1212-3 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 100mA, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 400mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 3-UDFN |
| Autres noms | DMP21D6UFD-7DITR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 46.1pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 8V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.2V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 600mA (Ta) 400mW Surface Mount X1-DFN1212-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 600mA (Ta) |
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