DN0150BLP4-7B
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| Référence | DN0150BLP4-7B |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 10000 pcs | 30000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.059 | $0.056 | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DN0150BLP4-7B | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 359990 pcs | Fiche technique | DN0150(A,B)LP4 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | X2-DFN1006-3 | Séries | - |
| Puissance - Max | 450mW | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 3-XFDFN | Autres noms | DN0150BLP4-7BDITR DN0150BLP47B |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | 60MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | DN0150 |
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- Partie#:
HMTSW-206-11-G-T-430-LA - Fabricant:
Samtec, Inc. - La description:
MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN - En stock:
15983