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DRDPB16W-7

DRDPB16W-7
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Référence DRDPB16W-7
Fabricant Diodes Incorporated
La description TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 495851 pcs
Référence Prix
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Référence DRDPB16W-7 Fabricant Diodes Incorporated
La description TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 495851 pcs Fiche technique DRDzzzzW
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur SOT-363 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 1 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms DRDPB16WDIDKR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600mA Numéro de pièce de base DRDPB16

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