SF10DG-T
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| Référence | SF10DG-T |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | SF10DG-T | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4930 pcs | Fiche technique | SF10xG Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 950mV @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 200V | Package composant fournisseur | DO-41 |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 35ns | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | DO-204AL, DO-41, Axial | Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41 | Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A | Capacité à Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
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