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US2JDF-13

US2JDF-13
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Référence US2JDF-13
Fabricant Diodes Incorporated
La description DIODE GEN PURP 600V 2A D-FLAT
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 398087 pcs
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Référence US2JDF-13 Fabricant Diodes Incorporated
La description DIODE GEN PURP 600V 2A D-FLAT État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 398087 pcs Fiche technique US2JDF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur D-Flat
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries D-FLAT
Temps de recouvrement inverse (trr) 75ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 2-SMD, Flat Lead Autres noms US2JDF-13DICT
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 600V 2A Surface Mount D-Flat
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A
Capacité à Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz

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