ZVN2120GTC
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| Référence | ZVN2120GTC |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ZVN2120GTC | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4239 pcs | Fiche technique | ZVN2120G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SOT-223 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 250mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 25V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | N-Channel 200V 320mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 320mA (Ta) |
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