ZXM66N03N8TA
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| Référence | ZXM66N03N8TA |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ZXM66N03N8TA | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5958 pcs | Fiche technique | ZXMN66N03N8 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.3A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
| Emballage | Original-Reel® | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | ZXM66N03N8DKR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
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