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ZXMC4559DN8TC

ZXMC4559DN8TC
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Référence ZXMC4559DN8TC
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 67599 pcs
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Référence ZXMC4559DN8TC Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 67599 pcs Fiche technique ZXMC4559DN8TA
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur 8-SO Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.5A, 10V Puissance - Max 2.1W
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms ZXMC4559DN8TCDICT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A, 2.6A

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