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ZXMN2A01FTC

ZXMN2A01FTC
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Référence ZXMN2A01FTC
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4708 pcs
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Référence ZXMN2A01FTC Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4708 pcs Fiche technique ZXMN2A01F
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Vgs (Max) ±12V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 4A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 303pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée N-Channel 20V 1.9A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.9A (Ta)

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