ZXMN6A09DN8TA
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| Référence | ZXMN6A09DN8TA |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.429 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ZXMN6A09DN8TA | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 86523 pcs | Fiche technique | ZXMN6A09DN8 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 8.2A, 10V | Puissance - Max | 1.25W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | ZXMN6A09DN8TR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.3A |
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