ZXTN2010ASTZ
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| Référence | ZXTN2010ASTZ |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2000 pcs | 6000 pcs | 10000 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.159 | $0.151 | $0.145 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ZXTN2010ASTZ | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 140519 pcs | Fiche technique | ZXTN2010ASTZ |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 200mA, 5A | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-92 | Séries | - |
| Puissance - Max | 1W | Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Autres noms | ZXTN2010ASTZ-ND ZXTN2010ASTZTB |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 130MHz | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4.5A 130MHz 1W Through Hole TO-92 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 4.5A | Numéro de pièce de base | ZXTN2010A |
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