EPC2030
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| Référence | EPC2030 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | MOSFET NCH 40V 31A DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.733 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2030 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET NCH 40V 31A DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 22398 pcs | Fiche technique | EPC2030 Preliminary Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 16mA |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 30A, 5V | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Autres noms | 917-1150-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 31A (Ta) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 31A (Ta) |
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