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EPC2035

EPC2035
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Référence EPC2035
Fabricant EPC
La description TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 123969 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Product parameter

Référence EPC2035 Fabricant EPC
La description TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 123969 pcs Fiche technique EPC2035,36 Product HighlightEPC2035
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 800µA
Vgs (Max) +6V, -4V La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur Die Séries eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 1A, 5V Dissipation de puissance (max) -
Emballage Original-Reel® Package / Boîte Die
Autres noms 917-1099-6 Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 30V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)

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