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GL41MHE3/97

GL41MHE3/97
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Référence GL41MHE3/97
Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 481115 pcs
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Référence GL41MHE3/97 Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 481115 pcs Fiche technique Packaging InformationBYM10-xxx, GL41x
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur DO-213AB
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries SUPERECTIFIER®
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte DO-213AB, MELF (Glass)
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-213AB
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 1000V Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Numéro de pièce de base GL41M

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