IRF830AS
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| Référence | IRF830AS |
|---|---|
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRF830AS | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4613 pcs | Fiche technique | IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | *IRF830AS | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 500V | Description détaillée | N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
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