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IRF9Z14S

IRF9Z14S
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Référence IRF9Z14S
Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5094 pcs
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Référence IRF9Z14S Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5094 pcs Fiche technique IRF9Z14S,L, SiHF9Z14S,L
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms *IRF9Z14S Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée P-Channel 60V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.7A (Tc)

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