IRFD9123PBF
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| Référence | IRFD9123PBF |
|---|---|
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description | MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | IRFD9123PBF | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4792 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 4-HVMDIP |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | - | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | P-Channel 100V 1A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
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