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IRFPE30PBF

IRFPE30PBF
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Référence IRFPE30PBF
Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 32244 pcs
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Référence IRFPE30PBF Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 32244 pcs Fiche technique IRFPE30
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms *IRFPE30PBF Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Tc)

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