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US1M/1

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Référence US1M/1
Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
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Référence US1M/1 Fabricant Electro-Films (EFI) / Vishay
La description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5593 pcs Fiche technique Packaging InformationUS1A - US1M
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 75ns Emballage Bulk
Package / Boîte DO-214AC, SMA Autres noms US1M/1/T
US1M/1GI
US1MGI
US1MGI-ND
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 1000V Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F - Numéro de pièce de base US1M

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