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MBR20060CT

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Référence MBR20060CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1812 pcs
Référence Prix
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$17.789

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Référence MBR20060CT Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1812 pcs Fiche technique Twin Tower Pkg DrawingMBR20045CT ~ 200100CTR
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 750mV @ 100A
Tension - inverse (Vr) (max) 60V Package composant fournisseur Twin Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Emballage Bulk Package / Boîte Twin Tower
Autres noms MBR20060CTGN Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Cathode Description détaillée Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Courant - fuite, inverse à Vr 5mA @ 20V Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC)

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