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MBRT600200

MBRT600200
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Référence MBRT600200
Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1005 pcs
Référence Prix
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Référence MBRT600200 Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1005 pcs Fiche technique MBRT600150 thru MBRT600200R
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920mV @ 300A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur Three Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Emballage Bulk Package / Boîte Three Tower
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Cathode Description détaillée Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 300A Chassis Mount Three Tower
Courant - fuite, inverse à Vr 1mA @ 200V Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 300A

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