MSRTA200120(A)D

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Référence	MSRTA200120(A)D
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS

~~In Stock~~ 1689 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	18 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	$21.909

Paramètre de produit
Fiche technique

Product parameter

Référence	MSRTA200120(A)D	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1689 pcs	Fiche technique	MSRTA200120(A)D thru MSRTA200160(A)D
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.1V @ 200A
Tension - inverse (Vr) (max)	1200V	Package composant fournisseur	Three Tower
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Séries	-
Emballage	Bulk	Package / Boîte	Three Tower
Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 150°C	Type de montage	Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Standard
Configuration diode	1 Pair Series Connection	Description détaillée	Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 200A Chassis Mount Three Tower
Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 1200V	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	200A

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