S16D
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| Référence | S16D |
|---|---|
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 200 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.258 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | S16D | Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 27773 pcs | Fiche technique | S16B~S16JRDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 16A | Tension - Ventilation | - |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-203AA, DO-4, Stud | Autres noms | S16DGN |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Référence fabricant | S16D |
| Description élargie | Diode Standard 200V 16A Chassis, Stud Mount | Configuration diode | 10µA @ 50V |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA | Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 16A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200V | Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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