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GP1M009A050FSH

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Référence GP1M009A050FSH
Fabricant Global Power Technologies Group
La description MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4939 pcs
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Référence GP1M009A050FSH Fabricant Global Power Technologies Group
La description MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4939 pcs Fiche technique GP1M009A050HS, FSH
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.25A, 10V Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1195pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 8.5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.5A (Tc)

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