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GP2M005A060PG

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Référence GP2M005A060PG
Fabricant Global Power Technologies Group
La description MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4869 pcs
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Référence GP2M005A060PG Fabricant Global Power Technologies Group
La description MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4869 pcs Fiche technique GP2M005A060CG, PG(H)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V Dissipation de puissance (max) 98.4W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 658pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-PAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc)

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