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6116LA55TDB

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Référence 6116LA55TDB
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 6976 pcs
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Référence 6116LA55TDB Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 6976 pcs Fiche technique IDT6116SA(LA)
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 55ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie SRAM - Asynchronous
Package composant fournisseur 24-CDIP Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms IDT6116LA55TDB
IDT6116LA55TDB-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 16Kb (2K x 8)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 55ns 24-CDIP Numéro de pièce de base IDT6116
Temps d'accès 55ns

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