70P259L65BYGI
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| Référence | 70P259L65BYGI |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 70P259L65BYGI | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4480 pcs | Fiche technique | IDT70P2x9L(65,90)BYGI |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 65ns |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V | La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Package composant fournisseur | 100-CABGA (6x6) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 100-TFBGA |
| Autres noms | IDT70P259L65BYGI IDT70P259L65BYGI-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 128Kb (8K x 16) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 65ns 100-CABGA (6x6) |
| Temps d'accès | 65ns |
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