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70P3519S200BCG

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Référence 70P3519S200BCG
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4763 pcs
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Référence 70P3519S200BCG Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4763 pcs Fiche technique IDT70P3519/99IDT Suffixes
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Package composant fournisseur 256-CABGA (17x17) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 256-LBGA
Autres noms IDT70P3519S200BCG
IDT70P3519S200BCG-ND
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 4 (72 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 9Mb (256K x 36)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17)
Fréquence d'horloge 200MHz Numéro de pièce de base IDT70P3519
Temps d'accès 3.4ns

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