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70V261L35PF

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Référence 70V261L35PF
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5268 pcs
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Référence 70V261L35PF Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5268 pcs Fiche technique IDT SuffixesIDT70V261S/L
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 35ns
Tension - Alimentation 3 V ~ 3.6 V La technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Package composant fournisseur 100-TQFP (14x14) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 100-LQFP
Autres noms IDT70V261L35PF
IDT70V261L35PF-ND
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 256Kb (16K x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Description détaillée SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 35ns 100-TQFP (14x14)
Numéro de pièce de base IDT70V261 Temps d'accès 35ns

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