70V3579S4BC
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| Référence | 70V3579S4BC |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 12 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $25.866 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 70V3579S4BC | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 1493 pcs | Fiche technique | 70V3579SIDT Suffixes |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 3.15 V ~ 3.45 V | La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Package composant fournisseur | 256-CABGA (17x17) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 256-LBGA |
| Autres noms | IDT70V3579S4BC IDT70V3579S4BC-ND |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 4 (72 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 256-CABGA (17x17) | Numéro de pièce de base | IDT70V3579 |
| Temps d'accès | 4.2ns |
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